Jiang Jianfeng, một nhà nghiên cứu trẻ được đánh giá là ngôi sao đang lên trong lĩnh vực bán dẫn, đã quyết định rời Massachusetts Institute of Technology (MIT) để quay về Trung Quốc công tác tại Peking University. Tại đây, anh đảm nhiệm vai trò phó giáo sư, trưởng nhóm nghiên cứu và hướng dẫn nghiên cứu sinh tiến sĩ.
Trước khi sang Mỹ làm nghiên cứu sau tiến sĩ trong khoảng một năm rưỡi, Jiang đã hoàn thành chương trình tiến sĩ tại Đại học Bắc Kinh vào tháng 6/2024. Khi còn đang làm việc tại Mỹ vào tháng 10 năm ngoái, nhà trường đã bắt đầu tuyển nghiên cứu sinh cho nhóm của anh, với định hướng tập trung vào những lĩnh vực chiến lược của Trung Quốc như điện toán hiệu năng cao và công nghệ chip thế hệ mới.
Tên tuổi của Jiang gắn liền với các nghiên cứu về vật liệu bán dẫn hai chiều Indium Selenide (InSe). Trong bối cảnh công nghệ chip silicon truyền thống đang dần đạt tới giới hạn vật lý và gặp nhiều khó khăn khi tiến tới các tiến trình dưới 3 nanomet, vật liệu InSe được xem là một giải pháp tiềm năng để vượt qua những rào cản của Moore’s Law.
Công trình của Jiang cho thấy lớp vật liệu InSe mỏng ở mức nguyên tử có khả năng đạt hiệu suất vượt trội so với công nghệ 3nm của Intel ở nhiều chỉ số quan trọng, đồng thời có mức tiêu thụ năng lượng rất thấp. Theo anh, các chất bán dẫn hai chiều giống như những mảnh ghép có thể linh hoạt kết hợp để tạo nên những cấu trúc điện tử mới.
Chúng không chỉ thực hiện được các chức năng tương tự silicon mà còn có ưu thế lớn về hiệu quả năng lượng – yếu tố quan trọng đối với sự phát triển của trí tuệ nhân tạo và xe tự lái trong tương lai.
Năm ngoái, bài nghiên cứu của Jiang đăng trên Science đã tạo dấu mốc đáng chú ý khi lần đầu đưa thiết bị InSe từ quy mô thử nghiệm riêng lẻ lên mức tấm wafer bán dẫn có thể tích hợp trên diện rộng. Thành tựu này thu hút sự quan tâm của nhiều tổ chức nghiên cứu và doanh nghiệp trong ngành bán dẫn, trong đó có Intel và Semiconductor Research Corporation của Mỹ, những đơn vị đã mời anh trình bày trực tiếp về nghiên cứu.
Trước đó, các công trình được công bố trên Nature vào năm 2023 và 2025 đã đặt nền tảng cho hướng nghiên cứu này, khi chứng minh rằng thiết bị InSe đơn lẻ có thể hoạt động hiệu quả hơn so với các linh kiện silicon truyền thống.
Gần đây nhất, Jiang cùng các cộng sự tiếp tục công bố nghiên cứu trên Journal of Semiconductors về phương pháp chế tạo linh kiện bán dẫn hai chiều với cấu trúc cổng điện cực bao quanh, mở ra hướng phát triển mới cho công nghệ transistor thế hệ tiếp theo.
Theo Jiang, quyết định trở về Trung Quốc không phải là lựa chọn nhất thời mà đã được cân nhắc từ lâu. Anh cho biết việc đưa một loại vật liệu mới từ phòng thí nghiệm đến giai đoạn ứng dụng công nghiệp thường mất khoảng một thập kỷ, đòi hỏi môi trường nghiên cứu ổn định và lâu dài.
Với nền tảng nghiên cứu về điện tử kích thước thấp đã được xây dựng trong nhiều thập kỷ, Đại học Bắc Kinh được xem là nơi phù hợp để tiếp tục phát triển các công trình này.
Quyết định của Jiang cũng chịu ảnh hưởng lớn từ người thầy của anh là Peng Lianmao, viện sĩ của Chinese Academy of Sciences. Theo lời khuyên của giáo sư Peng, một nhà khoa học nên cống hiến năng lực của mình ở nơi đất nước cần và đóng góp cho những nhu cầu quan trọng của thời đại. Jiang cho rằng việc nghiên cứu nhằm giải quyết các vấn đề thực tế của quốc gia mang ý nghĩa lớn hơn so với chỉ theo đuổi thành tựu học thuật.
Các chuyên gia nhận định sự trở về của những nhà khoa học trẻ như Jiang là một phần trong chiến lược dài hạn của Trung Quốc nhằm vượt qua các rào cản công nghệ và từng bước tự chủ ngành công nghiệp chip trong thập kỷ tới.
Jiang cũng nằm trong làn sóng các học giả gốc Trung Quốc trở về nước làm việc thời gian gần đây. Trước đó, nhiều nhà khoa học nổi bật như Chen Min, Liu Jun hay chuyên gia bán dẫn Su Fei cũng đã quyết định quay lại Trung Quốc để tham gia nghiên cứu và giảng dạy.
Nguồn: TinTucNews
